テクノロジーの核心発見
MOSFETの保護回路
- 前の会社でブラシレスモータードライバの開発をしていたときのこと、マイコンのリセットなどでMOSFETが壊れることがあった。
- ショートを検出してからハードウェアでシャットダウンするMOSFETの短絡保護回路を作ることにした。
- 実験の結果、上下短絡が発生した時MOSFETが壊れる時間は約1mS
- ショート検出後数uSでオフするように保護すると、上下短絡しても大丈夫なことがわかった。
- まとめると、MOSFETは１ｍSより短い時間(10uSなど)過電流を流しても壊れないことがある。
前のモデルBLMからの拡張
- ２０１８年に作ったBLMではフォトリフレクタで鉛筆の先（の銀紙）を検出させていたが検出距離を稼ぎたい。
- 赤外線LEDに瞬間的に大電流を流してフォトトランジスタ出力をADコンバータで検出する実験をしてみた。
- ADコンバータの変換時間は6usくらい（SPI通信時間含む）
- 10usオンでたぶんOKと思ってやってみたら、最初は８センチくらい検出できた
- 距離短いけど普通のフォトリフレクタでは絶対ムリな距離
スイッチングフォトリフレクタ(Switching photo reflector)回路
赤外線LEDを瞬間的に発光させてADコンバータで電圧検出し距離を測るテクノロジーをスイッチングフォトリフレクタ※と名付けた。これをハードウェアで実験したのがこちら ※開発初期に「ストロボセンサー」と呼んでいた。
